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参数资料
| 型号： | FDMA1027P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V DUAL MICROFET |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 435pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA1027PDKR |
Typical Characteristics
5
I D = -3.0A
700
f = 1MHz
4
600
V GS = 0 V
V DS = -5V
-15V
500
3
2
1
0
-10V
400
300
200
100
0
C rss
C oss
C iss
0
1
2 3
4
5
0
4 8 12 16
20
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics
10
R DS(ON) LIMIT
1ms
100us
10ms
1
0.1
V GS = -4.5V
SINGLE PULSE
100ms
1s
10s
DC
R T JA = 173 o C/W
T A = 25 o C
0.01
0.01
0.1 1 10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
Figure 9. Maximum Safe Operation Area
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
5
FDMA1027P Rev. D 5
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