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参数资料
| 型号： | FDMA1027P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V DUAL MICROFET |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 435pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA1027PDKR |
Electrical Characteristics T A = 25°C unless otherwise noted
Notes:
1: R T JA is determined with the device mounted on a 1 in 2 oz. copper pad on a 1.5 x 1.5 in. board of FR-4 material. R T JC is guaranteed by design while R T JA is
determined by the user's board design.
(a) R T JA = 86°C/W when mounted on a 1in 2 pad of 2 oz copper, 1.5" x 1.5" x 0.062" thick PCB. For single operation.
(b) R T JA = 173°C/W when mounted on a minimum pad of 2 oz copper. For single operation.
(c) R T JA = 69 o C/W when mounted on a 1in 2 pad of 2 oz copper, 1.5” x 1.5” x 0.062” thick PCB, For dual operation , c onfigured in parallel.
(d) R T JA = 151 o C/W when mounted on a minimum pad of 2 oz copper. For dual operation , c onfigured in parallel.
a) 86 o C/W when
mounted on a
1 in 2 pad of 2
oz copper.
b) 173 o C/W when
mounted on a
minimum pad of
2 oz copper.
c) 69 o C/W when
mounted on a
1 in 2 pad of 2
oz copper.
d) 151 o C/W when
mounted on a
minimum pad of
2 oz copper.
2: Pulse Test : Pulse Width < 300us, Duty Cycle < 2.0%
3
FDMA1027P Rev. D 5
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PDF描述 |
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