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参数资料
| 型号： | FDMA1032CZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET N/P-CHAN MICROFET 2X2 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A，3.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 68 毫欧 @ 3.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 340pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA1032CZDKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type Min Typ Max Units
Off Characteristics
BV DSS
BV DSS
T J
I DSS
I GSS
Drain-Source Breakdown
Voltage
Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
Zero Gate Voltage Drain
Current
Gate-Body Leakage
V GS = 0 V, I D = 250 A
V GS = 0 V, I D = –250 A
I D = 250 A, Referenced to 25 C
I D = –250 μA, Referenced to 25 C
V DS = 16 V, V GS = 0 V
V DS = –16 V, V GS = 0 V
V GS = ±12 V, V DS = 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
All
20
–20
15
–12
1
–1
±10
V
mV/ C
A
A
On Characteristics
(Note 2)
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 A
Q1
0.6
1.0
1.5
V
V DS = V GS , I D = –250 μA
Q2
–0.6
–1.0
–1.5
V GS(th)
T J
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
I D = 250 A, Referenced to 25 C
I D = –250 μA, Referenced to 25 C
Q1
Q2
–4
4
mV/ C
R DS(on)
Static Drain-Source
V GS = 4.5 V, I D = 3.7 A
Q1
37
68
m
On-Resistance
V GS = 2.5 V, I D = 3.3 A
V GS = 4.5 V, I D = 3.7 A, T J = 125 C
50
53
86
90
V GS = –4.5V, I D = –3.1 A
V GS = –2.5 V, I D = –2.5 A
V GS = –4.5 V, I D = –3.1 A,T J = 125 C
Q2
60
88
87
95
141
140
m
g FS
Forward Transconductance
V DS = 10 V, I D = 3.7 A
Q1
16
S
Dynamic Characteristics
V DS = –10 V, I D = –3.1 A
Q2
–11
C iss
Input Capacitance
Q1
Q1
340
pF
V DS = 10 V, V GS = 0 V, f = 1.0 MHz
Q2
540
C oss
Output Capacitance
Q2
Q1
Q2
80
120
pF
C rss
Reverse Transfer
V DS = –10 V, V GS = 0 V, f = 1.0 MHz
Q1
60
pF
Capacitance
Switching Characteristics
(Note 2)
Q2
100
t d(on)
Turn-On Delay Time
Q1
Q1
8
16
ns
V DD = 10 V, I D = 1 A,
Q2
13
24
t r
Turn-On Rise Time
V GS = 4.5 V, R GEN = 6
Q1
8
16
ns
Q2
11
20
t d(off)
Turn-Off Delay Time
Q2
Q1
14
26
ns
V DD = –10 V, I D = –1 A,
Q2
37
59
t f
Turn-Off Fall Time
V GS = –4.5 V, R GEN = 6
Q1
3
6
ns
Q2
36
58
Q g
Total Gate Charge
Q1
Q1
4
6
nC
V DS = 10 V, I D = 3.7 A, V GS = 4.5 V
Q2
7
10
Q gs
Gate-Source Charge
Q2
Q1
Q2
0.7
1.1
nC
Q gd
Gate-Drain Charge
V DS = –10 V,I D =– 3.1 A,
V GS =– 4.5 V
Q1
Q2
1.1
2.4
nC
FDMA1032CZ Rev B 4 (W)
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