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参数资料
| 型号： | FDMA1032CZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET N/P-CHAN MICROFET 2X2 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A，3.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 68 毫欧 @ 3.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 340pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA1032CZDKR |
Typical Characteristics Q1 (N-Channel)
6
5
V GS = 4.5V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
2
1.8
V GS = 2.0V
4
3
1.6
1.4
2.5V
2
1.2
3.0V
3.5V
1
1
4.0V
4.5V
1.5V
0
0.8
0
0.2
0.4 0.6 0.8
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
1.2
0
1
2 3 4
I D , DRAIN CURRENT (A)
5
6
1.6
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.13
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
I D = 3.7A
V GS = 4.5V
0.11
0.09
I D = 1.85A
T A = 125 C
T A = 25 C
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.07
0.05
0.03
o
o
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
-50
-25
0 25 50 75 100
o
125
150
0
2 4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
6
5
4
3
V DS = 5V
100
10
1
0.1
V GS = 0V
T A = 125 o C
T A = 125 C
25 C
-55 C
2
1
o
-55 o C
0.01
0.001
o
o
25 C
o
0
0.0001
0.5
1
1.5 2
2.5
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDMA1032CZ Rev B 4 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMA2002NZ | IC MOSFET N-CH DUAL MICROFET 2X2 |
| FDMA291P | MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2 |
| FDMA3023PZ | MOSFET P-CH DUAL 30V MICROFET6 |
| FDMA3028N | MOSFET N-CH 30V DUAL 6MICROFET |
| FDMA410NZ | MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA1032CZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DUAL N/P CH MOSFET 20V MICROFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DUAL N/P CH MOSFET, 20V, MICROFET |
| FDMA1032CZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:20V Complementary PowerTrench㈢ MOSFE |
| FDMA1430JP | 功能描述:MOSFET P-Chan -30V -2.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA2002NZ | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA2002NZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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