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参数资料
| 型号： | FDMS7620S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 10.1A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 608pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | * |
Typical Characteristics (continued)
SyncFET Schottky body diode
Characteristics
Schottky barrier diodes exhibit significant leakage at high tem-
10
Fairchild’s SyncFET process embeds a Schottky diode in parallel
with PowerTrench MOSFET. This diode exhibits similar
characteristics to a discrete external Schottky diode in parallel
with a MOSFET. Figure 26 shows the reverse recovery
characteristic of the FDMS7620S.
15
perature and high reverse voltage. This will increase the power
in the device.
-2
T J = 125 o C
10
10
10
10
5
0
di/dt = 300 A/ μ s
-3
-4
-5
T J = 100 o C
T J = 25 o C
10
-5
0
50
100
150
200
-6
0
5
10
15
20
25
30
TIME (ns)
Figure 25. FDMS7620S SyncFET body
diode reverse recovery characteristic
V DS , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 26. SyncFET body diode reverse
leakage versus drain-source voltage
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS7620S Rev.C1
10
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS7650DC | MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 |
| FDMS7650 | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
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| FDMS7658AS | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS7620S_F065 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TAPE REEL / 30/20V Dual N-Channel Power Trench Mosfet |
| FDMS7650 | 功能描述:MOSFET 30/20V N-Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7650_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30 V, 100 A, 0.99 m?? |
| FDMS7650DC | 功能描述:MOSFET 30V N-Chnl Dual Cool Pwr Trench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7656AS | 功能描述:MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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