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参数资料
| 型号： | FDMS7620S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 10.1A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 608pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | * |
Typical Characteristics (Q2 N-Channel) T J = 25 °C unless otherwise noted
45
V GS = 10 V
6
PULSE DURATION = 80 μ s
36
27
V GS = 6 V
V GS = 4.5 V
V GS = 4 V
4
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 3.5 V
V GS = 3.5 V
18
9
2
V GS = 4 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 4.5 V
V GS = 6 V
V GS = 10 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
0
9
18
27
36
45
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. On-Region Characteristics
1.6
I D = 12.4 A
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 14. Normalized on-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
28
PULSE DURATION = 80 μ s
1.4
V GS = 10 V
24
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 12.4 A
20
1.2
16
1.0
0.8
12
8
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
4
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 15. Normalized On-Resistance
vs Junction Temperature
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 16. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
45
36
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
50
10
V GS = 0 V
27
18
V DS = 5 V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
1
0.1
T J = 125 o C
T J = 25 o C
9
T J = -55 o C
0.01
T J = -55 o C
0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 17. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 18. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS7620S Rev.C1
7
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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