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参数资料
| 型号： | FDMS7620S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 10.1A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 608pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | * |
Electrical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
Δ BV DS S
Δ T J
I DSS
I GSS
Drain to Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current,
Forward
I D = 250 μ A, V GS = 0 V
I D = 1 mA, V GS = 0 V
I D = 250 μ A, referenced to 25°C
I D = 10 mA, referenced to 25°C
V DS = 24 V, V GS = 0 V
V GS = 20 V, V DS = 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
30
30
19
19
1
500
100
100
V
mV/°C
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
Δ V GS(th )
Δ T J
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V GS = V DS , I D = 250 μ A
V GS = V DS , I D = 1 mA
I D = 250 μ A, referenced to 25°C
I D = 10 mA, referenced to 25°C
Q1
Q2
Q1
Q2
1.0
1.0
2.2
2.0
-6
-5
3.0
3.0
V
mV/°C
V GS = 10 V, I D = 10.1 A
15.2
20.0
V GS = 4.5 V, I D = 7.5 A
Q1
22.7
30.0
r DS(on)
Static Drain to Source On Resistance
V GS = 10 V, I D = 10 A, T J = 125°C
V GS = 10 V, I D = 12.4 A
V GS = 4.5 V, I D = 10.9 A
Q2
18.7
8.3
10.5
22.5
11.2
14.2
m Ω
V GS = 10 V, I D = 12.4 A, T J = 125°C
8.9
15.1
g FS
Forward Transconductance
V DD = 5 V, I D = 10.1 A
V DD = 5 V, I D = 12.4 A
Q1
Q2
22
53
S
Dynamic Characteristics
C iss
Input Capacitance
Q1
Q2
457
1050
608
1400
pF
C oss
C rss
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 15 V, V GS = 0 V, f = 1 MHZ
Q1
Q2
Q1
Q2
167
358
22
35
222
477
31
49
pF
pF
R g
Gate Resistance
Q1
Q2
0.2
0.2
1.6
1.2
4.4
3.5
Ω
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Q1
V DD = 15 V, I D = 10.1 A, R GEN = 6 Ω
Q2
V DD = 15 V, I D = 12.4 A, R GEN = 6 Ω
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
5.2
6.6
1.2
1.8
11.9
17.4
1.4
1.5
10
14
10
10
22
32
10
10
ns
ns
ns
ns
Q g(TOT)
Q g(TOT)
Q gs
Q gd
Total Gate Charge
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain “Miller” Charge
V GS = 0V to 10 V
V GS = 0V to 5 V
Q1
V DD = 15 V,
I D = 10.1 A
Q2
V DD = 15 V,
I D = 12.4 A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
7.2
15.6
3.8
7.9
1.6
3.2
1.1
1.6
11
23
6
12
nC
nC
nC
nC
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS7620S Rev.C1
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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