参数资料
型号: FDMS7620S
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 6/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56
标准包装: 3,000
系列: PowerTrench®
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫欧 @ 10.1A
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 608pF @ 15V
功率 - 最大: 2.2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商设备封装: Power56
包装: *
Typical Characteristics (Q1 N-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
2
1
0.1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
P DM
R θ JA = 125 C/W
0.001
SINGLE PULSE
o
NOTES:
t 1
t 2
(Note 1b)
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
0.001 -4
10
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 12. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS7620S Rev.C1
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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