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参数资料
| 型号： | FDS8958B |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V TRENCH 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.4A，4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 6.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 540pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8958BDKR |
Electrical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
t rr
Q rr
Source to Drain Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = 1.3 A (Note 2)
V GS = 0 V, I S = -1.3 A (Note 2)
Q1
I F = 6.4 A, di/dt = 100 A/ μ s
Q2
I F = -4.5 A, di/dt = 100 A/ μ s
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
0.8
-0.8
17
20
6
8
1.2
-1.2
30
36
12
16
V
ns
nC
NOTES:
1. R θ JA is determined with the device mounted on a 1 in 2 pad 2 oz copper pad on a 1.5 x 1.5 in. board of FR-4 material. R θ JC is guaranteed by design while R θ CA is determined by
the user's board design.
a) 78 °C/W when
mounted on a 1 in 2
pad of 2 oz copper
b) 135 °C/W when
mounted on a
minimun pad
2. Pulse Test: Pulse Width < 30 0 μ s, Duty cycle < 2.0%.
3. The diode connected between the gate and source serves only as protection against ESD. No gate overvoltage rating is implied.
4. UIL condition: Starting T J = 25 °C, L = 1 mH, I AS = 6 A, V DD = 27 V, V GS = 10 V . (Q1)
Starting T J = 25 °C, L = 1 mH, I AS = -4 A, V DD = -27 V, V GS = -10 V. (Q2)
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8958B Rev.C
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDS8960C | 功能描述:MOSFET 35V Dual N & P-Chl PwrTrnch #174 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDS8962C | 功能描述:MOSFET SO8 DUAL NCH & PCH POWER TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8978 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8978_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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