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参数资料
| 型号： | FDS8958B |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V TRENCH 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.4A，4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 6.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 540pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8958BDKR |
Typical Characteristics (Q1 N-Channel) T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
I D = 6.4 A
V DD = 10 V
1000
C iss
6
V DD = 15 V
100
C oss
4
2
0
0
2
4
V DD = 20 V
6
8
10
10
0.1
f = 1 MHz
V GS = 0 V
1
C rss
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
9
8
7
6
5
4
3
2
T J = 125 o C
T J =
25 o C
100
10
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 135 o C/W
T A = 25 o C
0.1 ms
1 ms
10 ms
100 ms
1 s
10 s
DC
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.01
0.1
1
10
100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
500
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
R θ JA = 135 C/W
T A = 25 C
100
10
1
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
o
o
0.5
10
10
10
10
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8958B Rev.C
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8960C | 功能描述:MOSFET 35V Dual N & P-Chl PwrTrnch #174 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDS8962C | 功能描述:MOSFET SO8 DUAL NCH & PCH POWER TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8978 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8978_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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