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参数资料
| 型号： | FDS8958B |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V TRENCH 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.4A，4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 6.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 540pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8958BDKR |
Typical Characteristics (Q2 P-Channel) T J = 25 °C unless otherwise noted
10
2000
8
I D = -4.5 A
1000
C iss
V DD = -10 V
6
V DD = -15 V
4
2
0
0
3
V DD = -20 V
6 9
Q g , GATE CHARGE (nC)
12
15
100
30
0.1
C oss
C rss
f = 1 MHz
V GS = 0 V
1 10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
30
Figure 21. Gate Charge Characteristics
Figure 22. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
10
8
7
6
-2
-3
V GS = 0V
10
10
5
4
3
T J
= 25 o C
-4
-5
T J = 125 o C
10
-6
10
10
2
T J = 125 o C
-7
-8
T J = 25 o C
10
1
0.01
0.1
1
10
-9
0
5
10
15
20
25
30
35
100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 23. Unclamped Inductive
Switching Capability
200
-V GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE(V)
Figure 24. Ig vs Vgs
10
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 135 o C/W
T A = 25 o C
0.1 ms
1 ms
10 ms
100 ms
1 s
10 s
DC
100
10
1
V GS = -10 V
SINGLE PULSE
R θ JA = 135 o C/W
T A = 25 o C
0.5
10
10
10
10
1
0.01
0.01
0.1 1 10
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
100
-4
-3
-2 -1
t, PULSE WIDTH (sec)
10
100
1000
Figure 25. Forward Bias Safe
Operating Area
Figure 26. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8958B Rev.C
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8958 | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC |
| FDS8960C | MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8960C | 功能描述:MOSFET 35V Dual N & P-Chl PwrTrnch #174 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDS8962C | 功能描述:MOSFET SO8 DUAL NCH & PCH POWER TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8978 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8978_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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