- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录428 > FDS8958B (Fairchild Semiconductor)MOSFET N/P-CH 30V TRENCH 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS8958B |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V TRENCH 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.4A，4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 6.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 540pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8958BDKR |
Typical Characteristics (Q2 P-Channel) T J = 25 °C unless otherwise noted
30
24
18
V GS = -10 V
V GS = -6 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = -4.5 V
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
V GS = -3.5 V
V GS = -4 V
V GS = -4.5 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
12
6
0
0.0
V GS = -4 V
V GS = -3.5 V
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
2.0
1.5
1.0
0.5
0
6
12 18
-I D , DRAIN CURRENT (A)
V GS = -6 V
V GS = -10 V
24
30
Figure 15. On- Region Characteristics
Figure 16. Normalized on-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
I D = -4.5 A
V GS = -10 V
200
160
120
80
40
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = -2.3 A
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
0
2
4 6 8
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 17. Normalized On-Resistance
vs Junction Temperature
Figure 18. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
T J = -55 o C
30
25
20
15
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS = -5 V
T J = 25 o C
T J = 125 o C
30
10
V GS = 0 V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
10
5
0.1
T J = -55 o C
0
1 2 3 4 5
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 19. Transfer Characteristics
6
0.01
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 20. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
1.6
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8958B Rev.C
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8958 | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC |
| FDS8960C | MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC |
| FDS8962C | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC |
| FDS8978 | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| FDS8984_F085 | MOSFET N-CH 30V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8960C | 功能描述:MOSFET 35V Dual N & P-Chl PwrTrnch #174 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8960C_0511 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDS8962C | 功能描述:MOSFET SO8 DUAL NCH & PCH POWER TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8978 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8978_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。