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参数资料
| 型号： | FGH50N6S2D |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CHAN 600V 75A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 功率 - 最大： | 463W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FGH50N6S2D_NL FGH50N6S2D_NL-ND |
Typical Performance Curves
140
T J = 25 ° C unless otherwise noted
200
T J = 150 o C, R G = 3 ? , V GE = 15V, L = 100 μ H
120
100
80
150
60
PACKAGE LIMITED
100
40
50
20
0
0
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
Figure 1. DC Collector Current vs Case
Temperature
V CE , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
Figure 2. Minimum Switching Safe Operating Area
700
T C = 75 o C
14
12
V CE = 390V, R G = 3 ? , T J = 125 o C
900
800
300
V GE = 15V
10
700
100
f MAX1 = 0.05 / (t d(OFF)I + t d(ON)I )
f MAX2 = (P D - P C ) / (E ON2 + E OFF )
P C = CONDUCTION DISSIPATION
8
6
I SC
600
500
(DUTY FACTOR = 50%)
R ?JC = 0.27 o C/W, SEE NOTES
V GE = 10V
4
t SC
400
T J = 125 o C, R G = 3 ? , L = 200 μ H, V CE = 390V
2
300
10
0
200
1
10
30
60
9
10
11
12
13
14
15
16
I CE , COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
Figure 3. Operating Frequency vs Collector to
Emitter Current
60
V GE , GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
Figure 4. Short Circuit Withstand Time
60
50
DUTY CYCLE < 0.5%, V GE = 15V
PULSE DURATION = 250 μ s
50
DUTY CYCLE < 0.5%, V GE =10V
PULSE DURATION = 250 μ s
40
30
20
10
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
T J = 125 o C
40
30
20
10
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
T J = 125 o C
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.0
2.25
V CE , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
Figure 5. Collector to Emitter On-State Voltage
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
V CE , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
Figure 6. Collector to Emitter On-State Voltage
FGH50N6S2D RevA2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGH50N6S2D | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT N TO-247 |
| FGH50T65UPD | 功能描述:IGBT 晶体管 650 V 100 A 240 W RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH60N60SF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 60A Field Stop IGBT |
| FGH60N60SFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 60A Field Stop IGBT |
| FGH60N60SFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch/ 60A 600V FS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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