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参数资料
| 型号： | FGH50N6S2D |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CHAN 600V 75A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 功率 - 最大： | 463W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FGH50N6S2D_NL FGH50N6S2D_NL-ND |
Typical Performance Curves
250
T J = 25 ° C unless otherwise noted
16
225
DUTY CYCLE < 0.5%, V CE = 10V
PULSE DURATION = 250 μ s
14
I G(REF) = 1mA, R L = 10 ?
200
175
150
125
12
10
8
V CE = 600 V
V C E = 400 V
100
TJ = 125 o C
6
TJ = 25 C
TJ = -55 C
75
50
o
o
4
V CE = 200 V
25
0
2
0
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V GE , GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
Figure 13. Transfer Characteristic
Q G , GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge
3.0
2.5
R G = 3 ? , L = 200 μ H, V CE = 390V, V GE = 15V
E TOTAL = E ON2 + E OFF
100
T J = 125 o C, L = 200 μ H, V CE = 390V, V GE = 15V
E TOTAL = E ON2 + E OFF
I CE = 60A
2.0
1.5
I CE = 30A
10
I CE = 60A
I CE = 30A
1.0
0.5
0
I CE = 15A
1
0.1
I CE = 15A
25
50
75
100
125
150
1.0
10
100
1000
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
Figure 15. Total Switching Loss vs Case
Temperature
R G , GATE RESISTANCE ( ? )
Figure 16. Total Switching Loss vs Gate
Resistance
4.0
3.5
3.0
FREQUENCY = 1MHz
2.5
2.4
2.3
DUTY CYCLE < 0.5%
PULSE DURATION = 250 μ s
2.5
1
C IES
2.2
I CE = 45 A
2.0
2.1
1.5
2.0
I CE = 30A
1.0
0.5
0.0
C RES
C OES
1.9
1.8
1.7
I CE = 15A
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
V CE , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
Figure 17. Capacitance vs Collector to Emitter
Voltage
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
V GE , GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
Figure 18. Collector to Emitter On-State Voltage vs
Gate to Emitter Voltage
FGH50N6S2D RevA2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGH50N6S2D | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT N TO-247 |
| FGH50T65UPD | 功能描述:IGBT 晶体管 650 V 100 A 240 W RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH60N60SF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 60A Field Stop IGBT |
| FGH60N60SFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 60A Field Stop IGBT |
| FGH60N60SFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch/ 60A 600V FS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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