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参数资料
| 型号： | FGH50N6S2D |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CHAN 600V 75A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 功率 - 最大： | 463W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FGH50N6S2D_NL FGH50N6S2D_NL-ND |
Typical Performance Curves
75
T J = 25 ° C unless otherwise noted
200
60
45
DUTY CYCLE < 0.5%,
PULSE DURATION = 250 μ s
175
150
125
d I EC /dt = 200A/ μ s, V CE = 390V
125 o C t rr
125 o C
100
125 o C t b
30
25 o C
75
50
25 o C t a, t b
25 o C t r r
15
25
0
0
125 o C t a
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
2
6
10
14
18
22
26
30
V EC , FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 19. Diode Forward Current vs Forward
Voltage Drop
I EC , FORWARD CURRENT (A)
Figure 20. Recovery Times vs Forward Current
150
I EC = 30A, V CE = 390V
1200
V CE = 390V
125 o C, I EC = 30A
125
1000
100
75
50
125 o C t a
125 o C t b
800
600
400
125 o C, I EC = 15A
25 o C, I EC = 30A
25 o C t a
25
0
25 o C t b
200
0
25 o C, I EC = 15A
200
400
600
800
1000
1200
200
400
600
800
1000
1200
dI EC /dt, RATE OF CHANGE OF CURRENT (A/ μ s)
Figure 21. Recovery Times vs Rate of Change of
Current
3.0
dI EC /dt, RATE OF CHANGE OF CURRENT (A/ μ s)
Figure 22. Stored Charge vs Rate of Change of
Current
30
2.5
V CE = 390V, T J = 125 ° C
25
V CE = 390V, T J = 125 ° C
I EC = 30A
I EC = 30A
2.0
20
1.5
I EC = 15A
I EC = 15A
15
1.0
0.5
0
10
5
200
400
600
800
1000
1200
200
400
600
800
1000
1200
dI EC /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/ μ s)
Figure 23. Reverse Recovery Softness Factor vs
Rate of Change of Current
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
dI EC /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/ μ s)
Figure 24. Maximum Reverse Recovery Current vs
Rate of Change of Current
FGH50N6S2D RevA2
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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