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参数资料
| 型号： | FGP10N60UNDF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH 600V 20A TO-220-3 |
| 标准包装： | 50 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.45V @ 15V，10A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 20A |
| 功率 - 最大： | 139W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 7. Saturation Voltage vs. V GE
Figure 8. Capacitance Characteristics
T C = 125 C
20
Common Emitter
o
3000
16
1000
C ies
C oes
12
C res
8
10A
100
T C = 25 C
4
I C = 5A
20A
Common Emitter
V GE = 0V, f = 1MHz
o
0
4
8 12 16
20
10
1
10
30
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
Figure 9. Gate charge Characteristics
15
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 10. SOA Characteristics
100
12
V CC = 100V
200V
400V
10
10 μ s
100 μ s
9
6
1
Single Nonrepetitive
1ms
10 ms
DC
T C = 25 C
3
Common Emitter
o
0.1
Pulse TC = 25oC
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
0
0
5
10
15 20 25 30 35
40
45
50
0.01
1
10 100
1000
Gate Charge, Q g [nC]
Figure 11. Turn-on Characteristics vs.
Gate Resistance
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 12. Turn-off Characteristics vs.
Gate Resistance
T C = 25 C
50
1000
Common Emitter
V CC = 400V, V GE = 15V
I C = 10A
o
T C = 125 C
10
t r
t d(on)
o
t d(off)
100
Common Emitter
T C = 25 C
T C = 125 C
V CC = 400V, V GE = 15V
I C = 10A
o
o
t f
1
0
10
20 30 40
50
60
10
0
10
20
30
40
50
60
Gate Resistance, R G [ Ω ]
Gate Resistance, R G [ Ω ]
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FGP10N60UNDF Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGP15N60UNDF | IGBT N-CH 600V 30A TO-220-3 |
| FGP5N60LS | IGBT 600V 10A 83W TO220 |
| FGPF4533 | IGBT PDP 330V TO-220-3FP |
| FGPF4536 | IGBT PDP 360V TO-220-3FP |
| FGPF4633TU | IGBT PDP 330V 300A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGP-1-1/2 GREY | 制造商:ICO RALLY 功能描述:Cable |
| FGP-1-100-BLK | 制造商:ICO RALLY 功能描述: |
| FGP-1401-0501-2-0FF | 制造商:YAMAICHI 制造商全称:Yamaichi Electronics Co., Ltd. 功能描述:PC Board Transition Header (2 Rows) |
| FGP15N60UNDF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 15A NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGP-1601-0501-2-0FF | 制造商:YAMAICHI 制造商全称:Yamaichi Electronics Co., Ltd. 功能描述:PC Board Transition Header (2 Rows) |
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