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参数资料
| 型号： | FGP10N60UNDF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH 600V 20A TO-220-3 |
| 标准包装： | 50 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.45V @ 15V，10A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 20A |
| 功率 - 最大： | 139W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 13. Turn-on Characteristics vs.
Collector Current
Figure 14. Turn-off Characteristics vs.
Collector Current
T C = 25 C
30
300
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 10 Ω
o
T C = 125 C
10
t d(on)
t r
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 10 Ω
100
t d(off)
t f
o
T C = 25 C
T C = 125 C
o
o
10
1
0
5
10
15
20
25
5
0
5
10
15
20
25
Collector Current, I C [A]
Figure 15. Switching Loss vs.
Gate Resistance
1000
100
E on
E off
Collector Current, I C [A]
Figure 16. Switching Loss vs
Collector Current
1000
E on
Common Emitter
100
E off
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
10
5
0
10
V CC = 400V, V GE = 15V
I C = 10A
o
o
20 30 40 50
60
10
0
5
10
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 10 Ω
o
o
15 20
25
Gate Resistance, R G [ Ω ]
Figure 17. Turn off Switching
SOA Characteristics
50
Collector Current, I C [A]
Figure 18. Forward Characteristics
30
10
T J = 125 C
T J = 75 C
10
o
o
T J = 25 C
o
Safe Operating Area
V GE = 15V, T C = 125 C
1
1
10
o
100
1000
1
0
1 2
3
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Forward Voltage, V F [V]
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FGP10N60UNDF Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGP15N60UNDF | IGBT N-CH 600V 30A TO-220-3 |
| FGP5N60LS | IGBT 600V 10A 83W TO220 |
| FGPF4533 | IGBT PDP 330V TO-220-3FP |
| FGPF4536 | IGBT PDP 360V TO-220-3FP |
| FGPF4633TU | IGBT PDP 330V 300A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGP-1-1/2 GREY | 制造商:ICO RALLY 功能描述:Cable |
| FGP-1-100-BLK | 制造商:ICO RALLY 功能描述: |
| FGP-1401-0501-2-0FF | 制造商:YAMAICHI 制造商全称:Yamaichi Electronics Co., Ltd. 功能描述:PC Board Transition Header (2 Rows) |
| FGP15N60UNDF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 15A NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGP-1601-0501-2-0FF | 制造商:YAMAICHI 制造商全称:Yamaichi Electronics Co., Ltd. 功能描述:PC Board Transition Header (2 Rows) |
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