参数资料
型号: FGP10N60UNDF
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: IGBT N-CH 600V 20A TO-220-3
标准包装: 50
IGBT 类型: NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.45V @ 15V,10A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 20A
功率 - 最大: 139W
输入类型: 标准
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220-3
包装: 管件
Typical Performance Characteristics
Figure 19. Reverse Recovery Current
100
Figure 20. Stored Charge
0.3
T J = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
10
o
o
o
200A/ μ s
0.2
T J = 75 C
1
o
di F /dt = 100A/ μ s
0.1
T J = 25 C
0.01
o
0.1
200A/ μ s
1E-3
50
200 400
600
0.0
0
2
4
6
di F /dt = 100A/ μ s
8 10
12
Reverse Voltage, V R [V]
Figure 21. Reverse Recovery Time
100
Forward Current, I F [A]
T C = 25 C
T C = 125 C
80
o
o
di F /dt = 100A/ μ s
200A/ μ s
60
40
di F /dt = 100A/ μ s
200A/ μ s
20
0
0
2
4
6
8
10
12
Forward Current, I F [A]
Figure 22.Transient Thermal Impedance of IGBT
1
1
0.5
0.5
0.2
0.2
0.1 0.1
0.05
P DM
t 1
Peak T j = Pdm x Zthjc + T C
t 2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.02
0.01
0.01
single pulse
single pulse
0.01
0.01
1E-5 1E-4
0.005
0.00001
P DM
t 1
t 2
Duty Factor, D = t1/t2
Duty Factor, D = t1/t2
Peak T j = Pdm x Zthjc + T C
1E-3 0.01 0.1 1 10
0.001
0.0001 Rectangular Pulse Duration [sec] 0.01 0.1
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FGP10N60UNDF Rev. C1
7
www.fairchildsemi.com
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