- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录438 > HGT1S12N60A4DS (Fairchild Semiconductor)IGBT SMPS N-CH 600V D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | HGT1S12N60A4DS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT SMPS N-CH 600V D2PAK |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-263AB Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，12A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 54A |
| 功率 - 最大： | 167W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
HGTG12N60A4D, HGTP12N60A4D, HGT1S12N60A4DS
Typical Performance Curves
3.0
Unless Otherwise Specified (Continued)
2.4
2.5
FREQUENCY = 1MHz
2.3
DUTY CYCLE < 0.5%, V GE = 15V
PULSE DURATION = 250 μ s, T J = 25 o C
2.0
1.5
C IES
2.2
I CE = 18A
1.0
2.1
I CE = 12A
0.5
C OES
2.0
I CE = 6A
C RES
0
0
5
10
15
20
25
1.9
8
9
10
11
12
13
14
15
16
V CE , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 17. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER
VOLTAGE
V GE , GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 18. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
vs GATE TO EMITTER VOLTAGE
14
12
10
DUTY CYCLE < 0.5%,
PULSE DURATION = 250 μ s
125 o C
25 o C
90
80
70
60
dI EC /dt = 200A/ μ s
125 o C trr
125 o C tb
8
50
6
4
2
40
30
20
10
125 o C ta
25 o C trr
25 o C ta
25 o C tb
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V EC , FORWARD VOLTAGE (V)
FIGURE 19. DIODE FORWARD CURRENT vs FORWARD
VOLTAGE DROP
I EC , FORWARD CURRENT (A)
FIGURE 20. RECOVERY TIMES vs FORWARD CURRENT
65
60
55
125 o C tb
I EC = 12A, V CE = 390V
400
350
V CE = 390V
125 o C I EC = 12A
50
300
45
40
250
125 o C I EC = 6A
35
125 o C ta
200
30
25
150
25 o C I EC = 12A
20
15
10
25 o C ta
25 o C tb
100
50
25 o C I EC = 6A
5
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
di EC /dt, RATE OF CHANGE OF CURRENT (A/ μ s)
FIGURE 21. RECOVERY TIMES vs RATE OF CHANGE OF
CURRENT
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
di EC /dt, RATE OF CHANGE OF CURRENT (A/ μ s)
FIGURE 22. STORED CHARGE vs RATE OF CHANGE OF
CURRENT
HGTG12N60A4D, HGTP12N60A4D, HGT1S12N60A4DS Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HGT1S20N60C3S9A | IGBT UFS N-CHAN 600V TO-263AB |
| HGT1S7N60C3DS | IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-263AB |
| HGTD1N120BNS9A | IGBT NPT N-CH 1200V 5.3A TO252AA |
| HGTD7N60C3S9A | IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-252AA |
| HGTG10N120BND | IGBT N-CH NPT 1200V 35A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HGT1S12N60A4DS9A | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 54A I(C) | TO-263AB |
| HGT1S12N60A4S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HGT1S12N60A4S9A | 功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| HGT1S12N60B3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| HGT1S12N60B3D | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。