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参数资料
| 型号： | HY5TQ1G831ZNFP-S5 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA82 |
| 封装： | FBGA-82 |
| 文件页数： | 32/75页 |
| 文件大小： | 774K |
| 代理商： | HY5TQ1G831ZNFP-S5 |
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Rev. 0.5 /Sep 2007
38
HY5TQ1G431ZNFP
HY5TQ1G831ZNFP
HY5TQ1G631ZNFP
IDD Measurement Conditions for IDD3N and IDD3P(fast exit)
Current
IDD3N
IDD3P
Name
Active Standby Current
Active Power-Down Currenta
Always Fast Exit
Measurement Condition
Timing Diagram Example
Figure
CKE
HIGH
LOW
External Clock
on
tCK
tCKmin(IDD)
tRC
n.a.
tRAS
n.a.
tRCD
n.a.
tRRD
n.a.
CL
n.a.
AL
n.a.
CS
HIGH
STABLE
Addr. and cmd Inputs
SWITCHING as described in Table
STABLE
Data inputs
SWITCHING as described in Table
FLOATING
Output Buffer DQ,DQS
/ MR1 bit A12
off / 1
ODT
/ MR1 bits [A6, A2]
disabled
/ [0,0]
disabled
/ [0,0]
Burst length
n.a.
Active banks
all
Idle banks
none
Precharge Power Down Mode /
Mode Register Bit a
n.a.
n.a.(Active Power Down Mode is always
“Fast Exit” with DLL on)
a.DDR3 will offer only ONE active power down mode with DLL on (-> fast exit). MRS bit 12 will not be used for active power
down. Instead bit 12 will be used to switch between two different precharge power down modes.
IDD Measurement Conditions for IDD4R, IDD4W and IDD7
Current
IDD4R
IDD4W
IDD7
Name
Operating Current
Burst Read
Operating Current
Burst Write
All Bank Interleave Read
Current
Measurement Condition
Timing Diagram
Example
<Hyperlink>Figure
CKE
HIGH
External Clock
on
tCK
tCKmin(IDD)
tRC
n.a.
tRCmin(IDD)
tRAS
n.a.
tRASmin(IDD)
tRCD
n.a.
tRCDmin(IDD)
tRRD
n.a.
tRRDmin(IDD)
CL
CL(IDD)
AL
0
tRCDmin - 1 tCK
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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