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参数资料
| 型号： | HY5TQ1G831ZNFP-S5 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA82 |
| 封装： | FBGA-82 |
| 文件页数： | 70/75页 |
| 文件大小： | 774K |
| 代理商： | HY5TQ1G831ZNFP-S5 |
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Rev. 0.3 / May 2007
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Figure 7 — Illustration of tangent line for setup time tDS (for DQ with respect to strobe) and tIS (for
ADD/CMD with respect to clock)
VSS
tDH
Setup Slew Rate
Rising Signal
Falling Signal
ΔTF
ΔTR
tangent line[VREF(dc) - VIL(ac)max]
ΔTF
=
tangent line[VIH(ac)min - VREF(dc)]
ΔTR
=
VDDQ
VIH(ac) min
VIH(dc) min
VREF(dc)
VIL(dc) max
VIL(ac) max
tDS
tangent
VREF to ac
region
VREF to ac
region
line
nominal
line
nominal
line
tVAC
DQS
tDH
tDS
CK
tIS
tIH
tIS
tIH
Note: Clock and Strobe are drawn
on a different time scale.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HY62QF16400LLM-120I | 256K X 16 STANDARD SRAM, 120 ns, PBGA48 |
| HY62U16100LT2-15I | 64K X 16 STANDARD SRAM, 150 ns, PDSO44 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY5V16CF | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:1Mx16|3.3V|4K|H|SDR SDRAM - 16M |
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