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参数资料
| 型号： | HY5TQ1G831ZNFP-S5 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA82 |
| 封装： | FBGA-82 |
| 文件页数： | 67/75页 |
| 文件大小： | 774K |
| 代理商： | HY5TQ1G831ZNFP-S5 |
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Rev. 0.5 /Sep 2007
7
HY5TQ1G431ZNFP
HY5TQ1G831ZNFP
HY5TQ1G631ZNFP
1.3 ROW AND COLUMN ADDRESS TABLE
1Gb
2Gb
4Gb
8Gb
Note1 : Page size is the number of bytes of data delivered from the array to the internal sense amplifiers
when an ACTIVE command is registered. Page size is per bank, calculated as follows:
page size = 2 COLBITS * ORG
÷ 8
where COLBITS = the number of column address bits, ORG = the number of I/O (DQ) bits
Configuration
256Mb x 4
128Mb x 8
64Mb x 16
# of Banks
8
Bank Address
BA0 - BA2
Auto precharge
A10/AP
BL switch on the fly
A12/BC#
Row Address
A0 - A13
A0 - A12
Column Address
A0 - A9,A11
A0 - A9
Page size 1
1 KB
2 KB
Configuration
512Mb x 4
256Mb x 8
128Mb x 16
# of Banks
8
Bank Address
BA0 - BA2
Auto precharge
A10/AP
BL switch on the fly
A12/BC#
Row Address
A0 - A14
A0 - A13
Column Address
A0 - A9,A11
A0 - A9
Page size 1
1 KB
2 KB
Configuration
1Gb x 4
512Mb x 8
256Mb x 16
# of Banks
8
Bank Address
BA0 - BA2
Auto precharge
A10/AP
BL switch on the fly
A12/BC#
Row Address
A0 - A15
A0 - A14
Column Address
A0 - A9,A11
A0 - A9
Page size 1
1 KB
2 KB
Configuration
2Gb x 4
1Gb x 8
512Mb x 16
# of Banks
8
Bank Address
BA0 - BA2
Auto precharge
A10/AP
BL switch on the fly
A12/BC#
Row Address
A0 - A15
Column Address
A0 - A9, A11, A13
A0 - A9, A11
A0 - A9
Page size 1
2 KB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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