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参数资料
| 型号： | HY5TQ1G831ZNFP-S5 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA82 |
| 封装： | FBGA-82 |
| 文件页数： | 60/75页 |
| 文件大小： | 774K |
| 代理商： | HY5TQ1G831ZNFP-S5 |
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Rev. 0.5 /Sep 2007
63
HY5TQ1G431ZNFP
HY5TQ1G831ZNFP
HY5TQ1G631ZNFP
Table 4 — Required time tVAC above VIH(ac) {below VIL(ac)} for valid transition
Slew Rate
[V/ns]
tVAC @ 175 mV [ps]
tVAC @ 150 mV [ps]
min
max
min
max
> 2.0
75
-
175
-
2.0
57
-
170
-
1.5
50
-
167
-
1.0
38
-
163
-
0.9
34
-
162
-
0.8
29
-
161
-
0.7
22
-
159
-
0.6
13
-
155
-
0.5
0
-
150
-
< 0.5
0
-
150
-
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| HY5V22(L)F(P)-55 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM |
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