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参数资料
| 型号： | HYB18T1G160C2F-3.7 |
| 厂商： | QIMONDA AG |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 16 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA84 |
| 封装： | GREEN, PLASTIC, TFBGA-84 |
| 文件页数： | 54/70页 |
| 文件大小： | 3996K |
| 代理商： | HYB18T1G160C2F-3.7 |
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HY[B/I]18T1G[40/80/16]0C2[C/F](L)
1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
Internet Data Sheet
Rev. 1.60, 2008-08
58
09262007-3YK7-BKKG
TABLE 46
ODT AC Characteristics and Operating Conditions for DDR2–533
Symbol
Parameter / Condition
Values
Unit
Note
Min.
Max.
t
AOND
ODT turn-on delay
2
t
CK
t
AON
ODT turn-on
t
AC.MIN
t
AC.MAX + 1
ns
1)
1) ODT turn on time min. is when the device leaves high impedance and ODT resistance begins to turn on. ODT turn on time max is when
the ODT resistance is fully on. Both are measured from
t
AOND, which is interpreted differently per speed bin. For DDR2-400/533, tAOND is
10 ns (= 2 x 5 ns) after the clock edge that registered a first ODT HIGH if
t
CK = 5 ns.
t
AONPD
ODT turn-on (Power-Down Modes)
t
AC.MIN + 2
2
t
CK + tAC.MAX + 1
ns
t
AOFD
ODT turn-off delay
2.5
t
CK
t
AOF
ODT turn-off
t
AC.MIN
t
AC.MAX + 0.6
ns
2)
2) ODT turn off time min. is when the device starts to turn off ODT resistance. ODT turn off time max is when the bus is in high impedance.
Both are measured from
t
AOFD. Both are measured from tAOFD, which is interpreted differently per speed bin. For DDR2-400/533, tAOFD is
12.5 ns (= 2.5 x 5 ns) after the clock edge that registered a first ODT HIGH if
t
CK = 5 ns.
t
AOFPD
ODT turn-off (Power-Down Modes)
t
AC.MIN + 2
2.5
t
CK + tAC.MAX + 1
ns
t
ANPD
ODT to Power Down Mode Entry Latency
3
—
t
CK
t
AXPD
ODT Power Down Exit Latency
8
—
t
CK
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PDF描述 |
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