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参数资料
| 型号： | HYS72T128000EU-2.5-C2 |
| 厂商： | QIMONDA AG |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.4 ns, DMA240 |
| 封装： | GREEN, UDIMM-240 |
| 文件页数： | 7/59页 |
| 文件大小： | 3071K |
| 代理商： | HYS72T128000EU-2.5-C2 |
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HYS[64/72]T[128/256]0x0EU–[19F/1.9/25F/2.5/3S]–C2
Unbuffered DDR2 SDRAM Modules
Internet Data Sheet
Rev. 1.00, 2008-06
15
12032007-I9KE-FFWO
3
Electrical Characteristics
This chapter contains speed grade definition, AC timing parameter and ODT tables.
3.1
Absolute Maximum Ratings
Attention: Stresses greater than those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to
the device. This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other
conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
TABLE 8
Absolute Maximum Ratings
TABLE 9
Environmental Requirements
Symbol
Parameter
Rating
Unit
Note
Min.
Max.
V
DD
Voltage on
V
DD pin relative to VSS
–1.0
+2.3
V
1)
1) When
V
DD and VDDQ and VDDL are less than 500 mV; VREF may be equal to or less than 300 mV.
V
DDQ
Voltage on
V
DDQ pin relative to VSS
–0.5
+2.3
V
V
DDL
Voltage on
V
DDL pin relative to VSS
–0.5
+2.3
V
V
IN, VOUT
Voltage on any pin relative to
V
SS
–0.5
+2.3
V
Parameter
Symbol
Values
Unit
Note
Min.
Max.
Operating temperature (ambient)
T
OPR
0+55
°C
1)
1) The component maximum case temperature (Tcase) shall not exceed the value specified in the DDR2 DRAM component specification.
Storage Temperature
T
STG
– 50
+100
°C
2)
2) Storage Temperature is the case surface temperature on the center/top side of the DRAM.
Barometric Pressure (operating & storage)
PBar
+69
+105
kPa
3)
3) Up to 3000 m.
Operating Humidity (relative)
H
OPR
10
90
%
Storage Humidity (without condensation)
H
STG
595
%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYS72T64000EP-3.7-B2 | 64M X 72 DDR DRAM MODULE, DMA240 |
| HZ20-1 | 19.25 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| HZ6B1L | 5.65 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| HZ9.1CP | 9.65 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| HZB6.8MWA | 6.8 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HYS72T128000GR | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:DDR2 Registered Memory Modules |
| HYS72T128000GR-37-A | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:DDR2 Registered Memory Modules |
| HYS72T128000GR-5-A | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:DDR2 Registered Memory Modules |
| HYS72T128000HP | 制造商:QIMONDA 制造商全称:QIMONDA 功能描述:240-Pin Registered DDR2 SDRAM Modules |
| HYS72T128000HP-2.5-B | 制造商:QIMONDA 制造商全称:QIMONDA 功能描述:240-Pin Registered DDR2 SDRAM Modules |
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