- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录385440 > IRF5803D2PBF (International Rectifier) FETKY ㈢MOSFET & Schottky Diode PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF5803D2PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FETKY ㈢MOSFET & Schottky Diode |
| 中文描述： | FETKY㈢MOSFET的 |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | IRF5803D2PBF |
10
www.irf.com
e 1
H
K
L
D
E
e
y
b
c
A
A1
.189
.1497
.050 BASIC
.025 BASIC
0°
.013
.0075
.0532
.0040
.2284
.0099
.016
.1968
.1574
8°
.020
.0098
.0688
.0098
.2440
.0196
.050
4.80
3.80
1.27 BASIC
0.635 BASIC
0.33
0.19
1.35
0.10
5.80
0.25
0.40
0°
5.00
4.00
0.51
0.25
1.75
0.25
6.20
0.50
1.27
8°
MIN
MAX
MILLIMETERS
MIN
INCHES
MAX
DIM
8
7
5
6
5
D
B
E
A
e
6X
H
0.25 [.010]
A
6
7
K x 45°
8X L
8X c
y
0.25 [.010]
C A B
e1
A
A1
8X b
C
0.10 [.004]
4
3
1
2
FOOTPRINT
8X 0.72 [.028]
6.46 [.255]
3X 1.27 [.050]
4. OUTLINE CONFORMS TO J EDEC OUTLINE MS-012AA.
5 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS.
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.15 [.006].
NOTES:
1. DIMENSIONING & TOLERANCING PER ASME Y14.5M-1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER
3. DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS [INCHES].
6 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS.
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 [.010].
7 DIMENSION IS THE LENGTH OF LEAD FOR SOLDERING TO
A SUBSTRATE.
8X 1.78 [.070]
SO-8 (Fetky) Package Outline
RECTIFIER
LOGO
INTERNATIONAL
EXAMPLE: THIS IS AN IRF7807D1 (FETKY)
XXXX
807D1
Y = LAST DIGIT OF THE YEAR
WW = WEEK
A = ASSEMBLY SITE CODE
LOT CODE
PRODUCT (OPTIONAL)
P = DISGNATES LEAD - FREE
DATE CODE (YWW)
PART NUMBER
SO-8 (Fetky) Part Marking Information
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6100PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF610PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRF620PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF620SPBF | HEXFET POWER MOSFET (VDSS=200V , RDS(on)=0.80ヘ , ID=5.2A ) |
| IRF6215LPBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ヘ , ID=-13A ) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF5803D2TR | 功能描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF5803D2TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF5803D2TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 112mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF5803PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P-Channel 40V 3.4A TSOP6 |
| IRF5803TR | 功能描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。