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参数资料
| 型号： | IRF5803D2PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FETKY ㈢MOSFET & Schottky Diode |
| 中文描述： | FETKY㈢MOSFET的 |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | IRF5803D2PBF |
www.irf.com
9
Fig.21
- Maximum Allowable Ambient
Temp. Vs. Forward Current
Fig 20.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Schottky Diode Characteristics
0.01
0.00001
0.1
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D =t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
(THSINGLE PULSE
Note (4)
Formula used: T
C
= T
J
- (Pd + Pd
REV
) x R
thJA
;
Pd = Forward Power Loss = I
F(AV)
x V
FM
@ (I
F(AV)
/
D) ;
Pd
REV
= Inverse Power Loss = V
R1
x I
R
(1 - D); I
R
@ V
R1
= 80% rated V
R
0
1
2
3
4
5
6
Average Forward Current - I(AV) (A)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
A
S
quare wave ( D = 0.50)
80 % Rated VR applied
DC
see note (4)
RthJA = 62.5 °C/W
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