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参数资料
| 型号： | IRF5803D2PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FETKY ㈢MOSFET & Schottky Diode |
| 中文描述： | FETKY㈢MOSFET的 |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | IRF5803D2PBF |
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Power Mosfet Characteristics
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
500
1000
1500
2000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 100 KHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds
SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
I =
-3.4A
V
=-20V
DS
V
=-32V
DS
0.1
1
10
100
0.4
0.8
1.2
1.6
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
°
1
10
100
-VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
-D
TA = 25°C
TJ = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
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PDF描述 |
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