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参数资料
| 型号： | IRF5803D2PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FETKY ㈢MOSFET & Schottky Diode |
| 中文描述： | FETKY㈢MOSFET的 |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | IRF5803D2PBF |
6
www.irf.com
Fig 13.
Typical On-Resistance Vs.
Drain Current
Fig 12.
Typical On-Resistance Vs.
Gate Voltage
Fig 14b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 14a.
Basic Gate Charge Waveform
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
Power Mosfet Characteristics
0.0
5.0
10.0
15.0
-ID , Drain Current ( A )
0.00
0.10
0.20
0.30
0.40
RD
VGS = -4.5V
VGS = -10V
4.0
8.0
12.0
16.0
-VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
RD
)
ID = -3.4A
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PDF描述 |
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