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参数资料
| 型号： | IRF5803D2PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FETKY ㈢MOSFET & Schottky Diode |
| 中文描述： | FETKY㈢MOSFET的 |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | IRF5803D2PBF |
8
www.irf.com
Schottky Diode Characteristics
Fig. 18
- Typical Values of
Reverse Current Vs. Reverse Voltage
Fig. 17
- Maximum Forward Voltage Drop
Characteristics
1
10
100
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
2
2.2
I
F
Forward Voltage Drop - V (V)
T = 150°C
T = 125°C
T = 25°C
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
R
125°C
100°C
75°C
50°C
25°C
R
T = 150°C
Reverse Voltage - V (V)
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
T
J
Reverse Voltage - V (V)
T = 25°C
Fig. 19 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
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PDF描述 |
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