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参数资料
| 型号： | IRF5803D2PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FETKY ㈢MOSFET & Schottky Diode |
| 中文描述： | FETKY㈢MOSFET的 |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | IRF5803D2PBF |
www.irf.com
3
Power Mosfet Characteristics
0.1
1
10
100
2.0
3.0
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
-
D
T = 25 C
T = 150 C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
-10V
-3.4A
0.1
1
10
100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
-D
-2.7V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
TOP -15V
-10V
-4.5V
-3.7V
-3.5V
-3.3V
-3.0V
BOTTOM - 2.7V
0.1
1
10
100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
-D
-2.7V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 125°C
VGS
TOP -15V
-10V
-4.5V
-3.7V
-3.5V
-3.3V
-3.0V
BOTTOM - 2.7V
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