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参数资料
型号： IRF6614TR1
厂商： International Rectifier
文件页数： 2/10页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
产品变化通告： (EP) Parts Discontinuation 25/May/2012
标准包装： 1,000
系列： HEXFET®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 12.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 8.3 毫欧 @ 12.7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 2.25V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 29nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 2560pF @ 20V
功率 - 最大： 2.1W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： DirectFET? 等容 ST
供应商设备封装： DIRECTFET? ST
包装： 带卷 (TR)
IRF6614
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ. Max. Units
Conditions
BV DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
40
–––
–––
V
V GS = 0V, I D = 250μA
?Β V DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
38
–––
mV/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
5.9
8.3
m ?
V GS = 10V, I D = 12.7A i
–––
7.1
9.9
V GS = 4.5V, I D = 10.2A i
V GS(th)
? V GS(th) / ? T J
I DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
1.35
–––
–––
1.80
-5.5
–––
2.25
–––
1.0
V
mV/°C
μA
V DS = V GS , I D = 250μA
V DS = 32V, V GS = 0V
–––
–––
150
V DS = 32V, V GS = 0V, T J = 125°C
I GSS
gfs
Q g
Q gs1
Q gs2
Q gd
Q godr
Q sw
Q oss
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q gs2 + Q gd )
Output Charge
–––
–––
71
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
19
5.9
1.4
6.0
5.7
7.4
9.5
100
-100
–––
29
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nA
S
nC
nC
V GS = 20V
V GS = -20V
V DS = 10V, I D = 10.2A
V DS = 20V
V GS = 4.5V
I D = 10.2A
See Fig. 17
V DS = 16V, V GS = 0V
R G
t d(on)
t r
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
–––
–––
–––
1.0
13
27
1.5
–––
–––
?
V DD = 20V, V GS = 4.5V i
I D = 10.2A
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
18
3.6
2560
370
200
–––
–––
–––
–––
–––
ns
pF
Clamped Inductive Load
V GS = 0V
V DS = 20V
? = 1.0MHz
Diode Characteristics
Parameter
Min.
Typ. Max. Units
Conditions
I S
Continuous Source Current
–––
–––
53
MOSFET symbol
(Body Diode)
A
showing the
I SM
Pulsed Source Current
–––
–––
102
integral reverse
(Body Diode)
g
p-n junction diode.
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
15
5.5
1.0
23
8.3
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = 10.2A, V GS = 0V i
T J = 25°C, I F = 10.2A
di/dt = 100A/μs i
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
? Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.
2
www.irf.com
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PDF描述
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