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参数资料
| 型号： | IRF6614TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST |
| 产品变化通告： | (EP) Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.3 毫欧 @ 12.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2560pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 ST |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? ST |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6614
100.0
10.0
1000
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS (on)
100μsec
1.0
0.1
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
VGS = 0V
10
1
0.1
DC
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
VSD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 10. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
60
2.5
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig11. Maximum Safe Operating Area
50
2.0
40
30
1.5
I D = 250μA
20
1.0
10
0
0.5
25
50
75
100
125
150
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 12. Maximum Drain Current vs. Case Temperature
100
80
60
40
20
0
TJ , Temperature ( °C )
Fig 13. Typical Threshold Voltage vs. Junction
Temperature
ID
TOP 4.3A
6.4A
BOTTOM 10.2A
25
50
75
100
125
150
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
Fig 14. Maximum Avalanche Energy Vs. Drain Current
www.irf.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF6614TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF6614TRPBF | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH 5.9mOhm DirectFET 1.8Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6616 | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH 3.7mOhm DirectFET 1.8V Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6616TR1 | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH 3.7mOhm DirectFET 1.8V Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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