参数资料
型号: IRF6614TR1
厂商: International Rectifier
文件页数: 8/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
产品变化通告: (EP) Parts Discontinuation 25/May/2012
标准包装: 1,000
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.3 毫欧 @ 12.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.25V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2560pF @ 20V
功率 - 最大: 2.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DirectFET? 等容 ST
供应商设备封装: DIRECTFET? ST
包装: 带卷 (TR)
IRF6614
DirectFET ? Outline Dimension, ST Outline
(Small Size Can, T-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
DIMENSIONS
METRIC
IMPERIAL
CODE MIN
MAX
MIN
MAX
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
4.75
3.70
2.75
0.35
0.58
0.58
0.75
0.53
0.26
0.88
2.18
0.59
0.03
0.08
4.85
3.95
2.85
0.45
0.62
0.62
0.79
0.57
0.30
0.98
2.28
0.70
0.08
0.17
0.187
0.146
0.108
0.014
0.023
0.023
0.030
0.021
0.010
0.035
0.086
0.023
0.001
0.003
0.191
0.156
0.112
0.018
0.024
0.024
0.031
0.022
0.012
0.039
0.090
0.028
0.003
0.007
DirectFET ? Part Marking
8
www.irf.com
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