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参数资料
| 型号： | IRF6614TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST |
| 产品变化通告： | (EP) Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.3 毫欧 @ 12.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2560pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 ST |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? ST |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6614
D.U.T
+
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
+
?
-
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
D.U.T. I SD Waveform
V GS =10V *
?
-
-
?
+
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
?
R G
?
?
?
?
di/dt controlled by R G
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
V DD
+
-
Re-Applied
Voltage
Inductor Curre nt
Diode Recovery
dv/dt
Body Diode Forward Drop
V DD
Ripple ≤ 5%
I SD
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 18. Diode Reverse Recovery Test Circuit for N-Channel
HEXFET ? Power MOSFETs
DirectFET ? Substrate and PCB Layout, ST Outline
(Small Size Can, T-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
G = GATE
D = DRAIN
S = SOURCE
www.irf.com
D
D
G
S
S
D
D
7
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRF6616TR1 | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH 3.7mOhm DirectFET 1.8V Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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