型号: | IRF6614TR1 |
厂商: | International Rectifier |
文件页数: | 9/10页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST |
产品变化通告: | (EP) Parts Discontinuation 25/May/2012 |
标准包装: | 1,000 |
系列: | HEXFET® |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 40V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 12.7A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 8.3 毫欧 @ 12.7A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2.25V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 29nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 2560pF @ 20V |
功率 - 最大: | 2.1W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | DirectFET? 等容 ST |
供应商设备封装: | DIRECTFET? ST |
包装: | 带卷 (TR) |