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参数资料
| 型号： | IRF6645 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ |
| 标准包装： | 4,800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 5.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.9V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 890pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 SJ |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? SJ |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6645
Electrical Characteristic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units
Conditions
BV DSS
?Β V DSS / ? T J
R DS(on)
V GS(th)
? V GS(th) / ? T J
I DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
100
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
0.12
28
–––
-12
–––
–––
–––
35
4.9
–––
20
V
V/°C
m ?
V
mV/°C
μA
V GS = 0V, I D = 250μA
Reference to 25°C, I D = 1mA
V GS = 10V, I D = 5.7A c
V DS = V GS , I D = 50μA
V DS = 100V, V GS = 0V
–––
–––
250
V DS = 80V, V GS = 0V, T J = 125°C
I GSS
gfs
Q g
Q gs1
Q gs2
Q gd
Q godr
Q sw
Q oss
R G
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q gs2 + Q gd )
Output Charge
Gate Resistance
–––
–––
7.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
14
3.1
0.8
4.8
5.3
5.6
7.2
1.0
100
-100
–––
20
–––
–––
7.2
–––
–––
–––
–––
nA
S
nC
nC
?
V GS = 20V
V GS = -20V
V DS = 10V, I D = 3.4A
V DS = 50V
V GS = 10V
I D = 3.4A
See Fig. 15
V DS = 16V, V GS = 0V
t d(on)
t r
Turn-On Delay Time
Rise Time
–––
–––
9.2
5.0
–––
–––
V DD = 50V, V GS = 10V
I D = 3.4A
c
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
C oss
C oss
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
18
5.1
890
180
40
870
100
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
ns
pF
R G =6.2 ?
V GS = 0V
V DS = 25V
? = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 1.0V, f=1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 80V, f=1.0MHz
Diode Characteristics
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units
Conditions
I S
Continuous Source Current
–––
–––
25
MOSFET symbol
D
(Body Diode)
A
showing the
I SM
Pulsed Source Current
–––
–––
45
integral reverse
G
(Body Diode)
d
p-n junction diode.
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
31
40
1.3
47
60
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = 3.4A, V GS = 0V c
T J = 25°C, I F = 3.4A, V DD = 50V
di/dt = 100A/μs c
Notes:
? Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.
? Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
2
www.irf.com
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