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参数资料
| 型号： | IRF6645 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ |
| 标准包装： | 4,800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 5.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.9V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 890pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 SJ |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? SJ |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6645
100
100
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
10
10
6.0V
1
6.0V
0.1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 4. Typical Output Characteristics
100
VDS = 10V
≤ 60μs PULSE WIDTH
2.0
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Output Characteristics
I D = 5.7A
VGS = 10V
10
1
0.1
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
1.5
1.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0.5
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 6. Typical Transfer Characteristics
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 7. Normalized On-Resistance vs. Temperature
10000
1000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
60
50
VGS = 7.0V
VGS = 8.0V
VGS = 10V
VGS = 15V
TA= 25°C
Coss
40
100
10
Crss
30
20
1
10
100
0
10
20
30
40
50
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
4
ID, Drain Current (A)
Fig 9. Typical On-Resistance vs. Drain Current
www.irf.com
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