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参数资料
| 型号： | IRF6645 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ |
| 标准包装： | 4,800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 5.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.9V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 890pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 SJ |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? SJ |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6645
DirectFET ? Outline Dimension, SJ Outline
(Small Size Can, J-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
DIMENSIONS
METRIC
IMPERIAL
CODE MIN
MAX
MIN
MAX
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
M
N
P
4.75
3.70
2.75
0.35
0.58
0.58
0.68
0.68
0.98
2.28
0.48
0.03
0.08
4.85
3.95
2.85
0.45
0.62
0.62
0.72
0.72
1.02
2.32
0.58
0.08
0.17
0.187
0.146
0.108
0.014
0.023
0.023
0.027
0.027
0.039
0.090
0.019
0.001
0.003
0.191
0.156
0.112
0.018
0.024
0.024
0.028
0.028
0.040
0.091
0.023
0.003
0.007
DirectFET ? Part Marking
8
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRF6645TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 制造商:International Rectifier 功能描述:N MOSFET, 100V, 4.5A, DIRECTFET SJ |
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