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参数资料
| 型号： | IRF6645 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ |
| 标准包装： | 4,800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 5.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.9V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 890pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 SJ |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? SJ |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6645
100.0
1000
10.0
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS (on)
100μsec
10
1.0
1msec
0.1
VGS = 0V
1
0.1
TA = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
10msec
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
VSD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 10. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
6.0
5.0
4.0
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig11. Maximum Safe Operating Area
6.0
5.5
5.0
4.5
3.0
2.0
1.0
0.0
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
I D = 1.0A
I D = 1.0mA
I D = 250μA
I D = 50μA
25
50
75
100
125
150
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Ambient Temperature (°C)
Fig 12. Maximum Drain Current vs. Ambient Temperature
120
100
80
60
40
20
0
TJ , Temperature ( °C )
Fig 13. Typical Threshold Voltage vs.
Junction Temperature
ID
TOP 1.5A
2.4A
BOTTOM 3.4A
25
50
75
100
125
150
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
Fig 14. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
www.irf.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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