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参数资料
| 型号： | M38B79FFFP |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 4.2 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100 |
| 封装： | 14 X 20 MM, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, QFP-100 |
| 文件页数： | 89/112页 |
| 文件大小： | 1862K |
| 代理商： | M38B79FFFP |
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38B7 Group
SINGLE-CHIP 8-BIT CMOS MICROCOMPUTER
MITSUBISHI MICROCOMPUTERS
75
Fig. 83 Digit timing waveform (1)
Power Dissipation Calculating Example 1
(Fixed number depending on microcomputer’s standard)
VOH output fall voltage of high-breakdown port
2 V (max.); | Current value | = at 18 mA
Resistor value 43 V / 900
s = 48 k (min.)
Power dissipation of internal circuit (CPU, ROM, RAM etc.)
= 5 V 15 mA = 75 mW
(Fixed number depending on use condition)
Apply voltage to VEE pin: Vcc – 45 V
Timing number 17; digit number 16; segment number 20
Ratio of Toff time corresponding Tdisp time: 1/16
Turn ON segment number during repeat cycle: 31
All segment number during repeat cycle: 340 (= 17 20)
Total number of built-in resistor: for digit, 16; for segment, 20
Digit pin current value 18 (mA)
Segment pin current value 3 (mA)
(1) Digit pin power dissipation
{18 16 (1 – 1 / 16) 2} / 17 = 31.77 mW
(2) Segment pin power dissipation
{3 31 (1– 1 / 16) 2} / 17 = 10.26 mW
(3) Pull-down resistor power dissipation (digit)
[{45 – 2}2/ 48 (16 16 / 16) (1 – 1 / 16)] / 17 = 33.94 mW
(4) Pull-down resistor power dissipation (segment)
[{45 – 2}2/ 48 (31 20 / 20) (1 – 1 / 16)] / 17 = 65.86 mW
(5) Internal circuit power dissipation (CPU, ROM, RAM etc.)
= 75 mW
(1) + (2)+ (3) + (4) + (5) = 217 mW
DIG0
DIG1
DIG2
DIG3
DIG13
DIG14
DIG15
Timing
number
12
3
16
17
15
14
Tscan
Repeat cycle
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| M38C13E6HP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SINGLE-CHIP 8-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
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