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参数资料
| 型号： | M470T6464EHS-CE6 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | DDR DRAM MODULE, ZMA200 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
| 文件页数： | 15/22页 |
| 文件大小： | 401K |
| 代理商： | M470T6464EHS-CE6 |
Rev. 1.0 August 2008
SODIMM
DDR2 SDRAM
22 of 22
The used device is 64M x16 DDR2 SDRAM, FBGA.
DDR2 SDRAM Part NO : K4T1G164QE
Units : Millimeters
67.60
± 0.15 mm
4.0
0
±
0.
10
20
.00
±
0.1
5
mm
30
.00
±
0.
15
mm
1
199
11.40
± 0.15 mm
47.40
± 0.15 mm
6.
0
±
0.1
5
mm
SP
D
a
63.00
± 0.15 mm
16.25
± 0.15 mm
min 2.00
67.60
± 0.15 mm
30.
00
±
0.
1
5m
m
2
200
a
b
4.20
± 0.15
2.70
± 0.10
4.00
± 0.10
1.0
± 0.05
1.50
± 0.10
FRONT SIDE
4.20
± 0.15
1.80
± 0.10
4.00
± 0.10
1.0
± 0.05
2.40
± 0.10
BACK SIDE
0.60
± 0.15
0.45
± 0.03
2.
55
±
0.
15
0.
2
0
±
0.
15
DETAIL a
DETAIL b
3.8 mm
Max
1.1 mm
Max
- M470T6464EHS
14.4 64Mbx16 based 64Mx64 Module (1 Rank)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M470T6464EHS-LF7 | DDR DRAM MODULE, ZMA200 |
| M48T128V | 3.3V-5V 1 Mbit 128Kb x8 TIMEKEEPER SRAM |
| M48T12 | 16 Kbit 2Kb x8 TIMEKEEPER[ SRAM |
| M48T12-150PC1 | 16 Kbit 2Kb x8 TIMEKEEPER[ SRAM |
| M48T12-200PC1 | 16 Kbit 2Kb x8 TIMEKEEPER[ SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M470T6464QZH3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 SDRAM Memory |
| M470T6554BG0-CD5/CC | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC |
| M470T6554BG3-CD5/CC | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC |
| M470T6554BGZ0-CD5/CC | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC |
| M470T6554BGZ3-CD5/CC | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC |
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