M470T6464EHS-CE6 PDF资料下载(21/22 页)DDR DRAM MODULE, ZMA200

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参数资料

型号：	M470T6464EHS-CE6
元件分类：	DRAM
英文描述：	DDR DRAM MODULE, ZMA200
封装：	ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
文件页数：	21/22页
文件大小：	401K
代理商：	M470T6464EHS-CE6

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Rev. 1.0 August 2008

SODIMM

DDR2 SDRAM

8 of 22

(Populated as 2 rank of x16 DDR2 SDRAMs)

S0

DQS1

DM1

CS

DQ8

DQ9

DQ10

DQ11

DQ12

DQ13

DQ14

DQ15

I/O 0

I/O 1

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 6

I/O 7

D0

LDQS

LDM

DQS0

DM0

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

I/O 8

I/O 9

I/O 10

I/O 11

I/O 12

I/O 13

I/O 14

I/O 15

UDQS

UDM

DQS5

DM5

CS

DQ40

DQ41

DQ42

DQ43

DQ44

DQ45

DQ46

DQ47

I/O 0

I/O 1

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 6

I/O 7

D2

LDQS

LDM

DQS4

DM4

DQ32

DQ33

DQ34

DQ35

DQ36

DQ37

DQ38

DQ39

I/O 8

I/O 9

I/O 10

I/O 11

I/O 12

I/O 13

I/O 14

I/O 15

UDQS

UDM

DQS3

DM3

CS

DQ24

DQ25

DQ26

DQ27

DQ28

DQ29

DQ30

DQ31

I/O 0

I/O 1

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 6

I/O 7

D1

LDQS

LDM

DQS2

DM2

DQ16

DQ17

DQ18

DQ19

DQ20

DQ21

DQ22

DQ23

I/O 8

I/O 9

I/O 10

I/O 11

I/O 12

I/O 13

I/O 14

I/O 15

UDQS

UDM

DQS7

DM7

CS

DQ56

DQ57

DQ58

DQ59

DQ60

DQ61

DQ62

DQ63

I/O 0

I/O 1

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 6

I/O 7

D3

LDQS

LDM

I/O 8

I/O 9

I/O 10

I/O 11

I/O 12

I/O 13

I/O 14

I/O 15

UDQS

UDM

C

K

E

O

D

T

C

K

E

O

D

T

C

K

E

O

D

T

C

K

E

O

D

T

CS

I/O 0

I/O 1

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 6

I/O 7

D4

LDQS

LDM

I/O 8

I/O 9

I/O 10

I/O 11

I/O 12

I/O 13

I/O 14

I/O 15

UDQS

UDM

CS

I/O 0

I/O 1

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 6

I/O 7

D5

LDQS

LDM

I/O 8

I/O 9

I/O 10

I/O 11

I/O 12

I/O 13

I/O 14

I/O 15

UDQS

UDM

C

K

E

O

D

T

C

K

E

O

D

T

CS

I/O 0

I/O 1

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 6

I/O 7

D6

LDQS

LDM

I/O 8

I/O 9

I/O 10

I/O 11

I/O 12

I/O 13

I/O 14

I/O 15

UDQS

UDM

CS

I/O 0

I/O 1

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 6

I/O 7

D7

LDQS

LDM

I/O 8

I/O 9

I/O 10

I/O 11

I/O 12

I/O 13

I/O 14

I/O 15

UDQS

UDM

C

K

E

O

D

T

C

K

E

O

D

T

S1

CKE0

CKE1

ODT0

ODT1

SPD

SA0

SCL

SDA

VSS

DDR2 SDRAMs D0 - D7, SPD

VREF

DDR2 SDRAMs D0 - D7

DDR2 SDRAMs D0 - D7, VDD and VDDQ

VDD

VDDSPD

Serial PD

WP

SA1

SCL

A0

A1

A2

A0 - A13

DDR2 SDRAMs D0 - D7

RAS

DDR2 SDRAMs D0 - D7

CAS

DDR2 SDRAMs D0 - D7

WE

DDR2 SDRAMs D0 - D7

BA0 - BA2

DDR2 SDRAMs D0 - D7

3

+ 5%

Note :

1. DQ,DM, DQS/DQS resistors : 22 Ohms

± 5%.

2. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors : 3.0 Ohms

± 5%.

* Wire per Clock Loading

Table/Wiring Diagrams

* Clock Wiring

Clock Input

DDR2 SDRAMs

*CK0/CK0

*CK1/CK1

4 DDR2 SDRAMs

3

+ 5%

DQS6

DM6

DQ48

DQ49

DQ50

DQ51

DQ52

DQ53

DQ54

DQ55

7.2 1GB, 128Mx64 Module - M470T2864EH3

相关PDF资料	PDF描述
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M48T128V	3.3V-5V 1 Mbit 128Kb x8 TIMEKEEPER SRAM
M48T12	16 Kbit 2Kb x8 TIMEKEEPER[ SRAM
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M470T6554BG0-CD5/CC	制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC
M470T6554BG3-CD5/CC	制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC
M470T6554BGZ0-CD5/CC	制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC
M470T6554BGZ3-CD5/CC	制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC

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