- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录224146 > M470T6464EHS-CE6 DDR DRAM MODULE, ZMA200 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | M470T6464EHS-CE6 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | DDR DRAM MODULE, ZMA200 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
| 文件页数： | 16/22页 |
| 文件大小： | 401K |
| 代理商： | M470T6464EHS-CE6 |
Rev. 1.0 August 2008
SODIMM
DDR2 SDRAM
3 of 22
Revision History
Revision
Month
Year
History
1.0
August
2008
- Initial Release
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M470T6464EHS-LF7 | DDR DRAM MODULE, ZMA200 |
| M48T128V | 3.3V-5V 1 Mbit 128Kb x8 TIMEKEEPER SRAM |
| M48T12 | 16 Kbit 2Kb x8 TIMEKEEPER[ SRAM |
| M48T12-150PC1 | 16 Kbit 2Kb x8 TIMEKEEPER[ SRAM |
| M48T12-200PC1 | 16 Kbit 2Kb x8 TIMEKEEPER[ SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M470T6464QZH3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 SDRAM Memory |
| M470T6554BG0-CD5/CC | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC |
| M470T6554BG3-CD5/CC | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC |
| M470T6554BGZ0-CD5/CC | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC |
| M470T6554BGZ3-CD5/CC | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。