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参数资料
| 型号： | M58BW016DB90ZA6FT |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 32 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA80 |
| 封装： | 10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80 |
| 文件页数： | 25/63页 |
| 文件大小： | 901K |
| 代理商： | M58BW016DB90ZA6FT |
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DC AND AC PARAMETERS
This section summarizes the operating and mea-
surement conditions, and the DC and AC charac-
teristics of the device. The parameters in the DC
and AC characteristics Tables that follow, are de-
rived from tests performed under the Measure-
ment
Conditions
summarized
in
Table
Operating and AC Measurement Conditions. De-
signers should check that the operating conditions
in their circuit match the measurement conditions
when relying on the quoted parameters.
Table 13. Operating and AC Measurement Conditions
Figure 7. AC Measurement Input Output
Waveform
Note: VDD = VDDQ.
Figure 8. AC Measurement Load Circuit
Table 14. Device Capacitance
Note: 1. TA = 25°C, f = 1 MHz
2. Sampled only, not 100% tested.
Parameter
Value
Units
Min
Max
Supply Voltage (VDD)
2.7
3.6
V
Input/Output Supply Voltage (VDDQ)
2.4
VDD
V
Ambient Temperature (TA)
Grade 6
–40
90
°C
Grade 3
–40
125
°C
Load Capacitance (CL)
60
pF
Clock Rise and Fall Times
4
ns
Input Rise and Fall Times
4
ns
Input Pulses Voltages
0 to VDDQ
V
Input and Output Timing Ref. Voltages
VDDQ/2
V
AI04153
VDDQ
VDDQIN
0V
VDDQ/2
VDDQIN/2
AI04154
1.3V
OUT
CL
CL includes JIG capacitance
3.3k
1N914
DEVICE
UNDER
TEST
Symbol
Parameter
Test Condition
Typ
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0V
68
pF
COUT
Output Capacitance
VOUT = 0V
812
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58BW016DB90ZA3FT | 512K X 32 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA80 |
| M58BW016DB80ZA6F | 512K X 32 FLASH 3V PROM, 80 ns, PBGA80 |
| M58LW032A | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032A110N1T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032A110N6T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M58BW016DB90ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DBT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DBZA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DT | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (512 Kbit x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
| M58BW016DT100T3T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
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