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参数资料
| 型号： | M58BW016DB90ZA6FT |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 32 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA80 |
| 封装： | 10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80 |
| 文件页数： | 32/63页 |
| 文件大小： | 901K |
| 代理商： | M58BW016DB90ZA6FT |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页当前第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页
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Table 19. Asynchronous Write and Latch Controlled Write AC Characteristics
Symbol
Parameter
Test Condition
M58BW016
Unit
80
90
100
tAVLL
Address Valid to Latch Enable Low
Min
0
ns
tAVWH
Address Valid to Write Enable High
E = VIL
Min
50
ns
tDVWH
Data Input Valid to Write Enable High
E = VIL
Min
50
ns
tELLL
Chip Enable Low to Latch Enable Low
Min
0
ns
tELWL
Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
ns
tLHAX
Latch Enable High to Address Transition
Min
5
ns
tLLLH
Latch Enable Low to Latch Enable High
Min
10
ns
tLLWH
latch Enable Low to Write Enable High
E = VIL
Min
50
ns
tQVVPL
Output Valid to VPP Low
Min
0
ns
tVPHWH
VPP High to Write Enable High
Min
0
ns
tWHAX
Write Enable High to Address Transition
E = VIL
Min
0
ns
tWHDX
Write Enable High to Input Transition
E = VIL
Min
0
ns
tWHEH
Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
ns
tWHGL
Write Enable High to Output Enable Low
Min
150
ns
tWHQV
Write Enable High to Output Valid
Min
175
ns
tWHWL
Write Enable High to Write Enable Low
Min
20
ns
tWLWH
Write Enable Low to Write Enable High
E = VIL
Min
60
ns
tQVPL
Output Valid to Reset/Power-down Low
Min
0
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58BW016DB90ZA3FT | 512K X 32 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA80 |
| M58BW016DB80ZA6F | 512K X 32 FLASH 3V PROM, 80 ns, PBGA80 |
| M58LW032A | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032A110N1T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032A110N6T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M58BW016DB90ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DBT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DBZA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DT | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (512 Kbit x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
| M58BW016DT100T3T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
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