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参数资料
| 型号： | M58BW016DB90ZA6FT |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 32 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA80 |
| 封装： | 10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80 |
| 文件页数： | 26/63页 |
| 文件大小： | 901K |
| 代理商： | M58BW016DB90ZA6FT |
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32/63
Table 15. DC Characteristics
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
ILI
Input Leakage Current
0V
≤VIN ≤VDDQ
±1
A
ILO
Output Leakage Current
0V
≤VOUT ≤VDDQ
±5
A
IDD
Supply Current (Random Read)
E = VIL, G = VIH, fadd = 6MHz
20
mA
IDDB
Supply Current (Burst Read)
E = VIL, G = VIH, fclock =
56MHz
30
mA
IDD1
Supply Current (Standby)
E = RP = VDD ± 0.2V
60
A
Supply Current (Auto Low-Power)
E = VSS ± 0.2V,
RP = VDD ± 0.2V
60
A
IDD2
Supply Current (Reset/Power-down)
RP = VSS ± 0.2V
60
A
IDD3
Supply Current (Program or Erase,
Set Lock Bit, Erase Lock Bit)
Program, Block Erase in
progress
30
mA
IDD4
Supply Current
(Erase/Program Suspend)
E = VIH
40
A
IPP
Program Current (Read or Standby)
VPP ≥ VPP1
± 30
A
IPP1
Program Current (Read or Standby)
VPP ≤VPP1
± 30
A
IPP2
Program Current (Power-down)
RP = VIL
± 5
A
IPP3
Program Current (Program)
Program in Progress
VPP = VPP1
200
A
VPP = VPPH
20
mA
IPP4
Program Current (Erase)
Erase in Progress
VPP = VPP1
200
A
VPP = VPPH
20
mA
VIL
Input Low Voltage
–0.5
0.2VDDQIN
V
VIH
Input High Voltage (for DQ lines)
0.8VDDQIN
VDDQ +0.3
V
VIH
Input High Voltage (for Input only
lines)
0.8VDDQIN
3.6
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 100A
0.1
V
VOH
Output High Voltage CMOS
IOH = –100A
VDDQ –0.1
V
VPP1
Program Voltage
(Program or Erase operations)
2.7
3.6
V
VPPH
Program Voltage
(Program or Erase operations)
11.4
12.6
V
VLKO
VDD Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
2.2
V
VPPLK
VPP Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
11.4
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58BW016DB90ZA3FT | 512K X 32 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA80 |
| M58BW016DB80ZA6F | 512K X 32 FLASH 3V PROM, 80 ns, PBGA80 |
| M58LW032A | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032A110N1T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032A110N6T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M58BW016DB90ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DBT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DBZA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DT | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (512 Kbit x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
| M58BW016DT100T3T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
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