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参数资料
| 型号： | M58BW016DB90ZA6FT |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 32 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA80 |
| 封装： | 10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80 |
| 文件页数： | 35/63页 |
| 文件大小： | 901K |
| 代理商： | M58BW016DB90ZA6FT |
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Table 20. Synchronous Burst Read AC Characteristics
Note: 1. Data output should be read on the valid clock edge.
2. For other timings see Table 16, Asynchronous Bus Read Characteristics.
Figure 15. Synchronous Burst Read (Data Valid from ’n’ Clock Rising Edge)
Note: For set up signals and timings see Synchronous Burst Read.
Symbol
Parameter
Test Condition
M58BW016
Unit
80
90
100
tAVLL
Address Valid to Latch Enable Low
E = VIL
Min
0
ns
tBHKH
Burst Address Advance High to Valid Clock
Edge
E = VIL, G = VIL,
L = VIH
Min
8
ns
tBLKH
Burst Address Advance Low to Valid Clock
Edge
E = VIL, G = VIL,
L = VIH
Min
8
ns
tELLL
Chip Enable Low to Latch Enable low
Min
0
ns
tGLQV
Output Enable Low to Output Valid
E = VIL, L = VIH
Min
25
ns
tKHAX
Valid Clock Edge to Address Transition
E = VIL
Min
5
ns
tKHLL
Valid Clock Edge to Latch Enable Low
E = VIL
Min
0
ns
tKHLX
Valid Clock Edge to Latch Enable Transition
E = VIL
Min
0
ns
tKHQX
Valid Clock Edge to Output Transition
E = VIL, G = VIL,
L = VIH
Min
3
ns
tLLKH
Latch Enable Low to Valid Clock Edge
E = VIL
Min
6
ns
tQVKH
(1)
Output Valid to Valid Clock Edge
E = VIL, G = VIL,
L = VIH
Min
6
ns
tRLKH
Valid Data Ready Low to Valid Clock Edge
E = VIL, G = VIL,
L = VIH
Min
6
ns
tKHQV
Valid Clock Edge to Output Valid
E = VIL, G = VIL,
L = VIH
Max
11
ns
AI04408b
K
n+5
n+4
n+3
n+2
n+1
n
DQ0-DQ31
tQVKH
tKHQX
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
SETUP
Burst Read
Q0 to Q3
tKHQV
Note: n depends on Burst X-Latency
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58BW016DB90ZA3FT | 512K X 32 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA80 |
| M58BW016DB80ZA6F | 512K X 32 FLASH 3V PROM, 80 ns, PBGA80 |
| M58LW032A | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032A110N1T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032A110N6T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M58BW016DB90ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DBT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DBZA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DT | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (512 Kbit x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
| M58BW016DT100T3T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
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