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参数资料
| 型号： | MC68HC11F1VPU2 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | Technical Summary 8-Bit Microcontroller |
| 中文描述： | 8-BIT, EEPROM, 2 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80 |
| 封装： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, LQFP-80 |
| 文件页数： | 114/163页 |
| 文件大小： | 711K |
| 代理商： | MC68HC11F1VPU2 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页当前第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页
MOTOROLA
OPERATING MODES AND ON-CHIP MEMORY
MC68HC11F1
4-16
TECHNICAL DATA
4.4.1.4 EEPROM Byte Erase
The following is an example of how to erase a single byte of EEPROM and assumes
that index register X contains the address of the byte to be erased.
4.4.2 PPROG EEPROM Programming Control Register
Bits in PPROG register control parameters associated with EEPROM programming.
ODD — Program Odd Rows in Half of EEPROM (TEST)
EVEN — Program Even Rows in Half of EEPROM (TEST)
Bit 5 — Not implemented
Always reads zero
BYTE — Byte/Other EEPROM Erase Mode
0 = Row or bulk erase mode used
1 = Erase only one byte of EEPROM
ROW — Row/All EEPROM Erase Mode (only valid when BYTE = 0)
0 = All 512 bytes of EEPROM erased
1 = Erase only one 16-byte row of EEPROM
ROWE
LDAB
#$0E
ROW=1, ERASE=1, EELAT=1, EEPGM=0
STAB
$103B
Set to ROW erase mode
STAB
0,X
Store any data to any address in ROW
LDAB
#$0F
ROW=1, ERASE=1, EELAT=1, EEPGM=1
STAB
$103B
Turn on high voltage
JSR
DLY10
Delay 10 ms
CLR
$103B
Turn off high voltage and set to READ mode
BYTEE
LDAB
#$16
BYTE=1, ROW=0, ERASE=1, EELAT=1, EEPGM=0
STAB
$103B
Set to BYTE erase mode
STAB
0,X
Store any data to address to be erased
LDAB
#$17
BYTE=1, ROW=0, ERASE=1, EELAT=1, EEPGM=1
STAB
$103B
Turn on high voltage
JSR
DLY10
Delay 10 ms
CLR
$103B
Turn off high voltage and set to READ mode
PPROG — EEPROM Programming Control
$103B
Bit 7
654321
Bit 0
ODD
EVEN
—
BYTE
ROW
ERASE
EELAT
EEPGM
RESET:
0000000
0
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PDF描述 |
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参数描述 |
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