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参数资料
| 型号： | MJE13009BV |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 34/65页 |
| 文件大小： | 517K |
| 代理商： | MJE13009BV |
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MJE13009
3–679
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.2
1.4
0.8
0.4
Figure 5. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.5
1
5
7
10
Figure 6. Collector Saturation Region
0.05
IB, BASE CURRENT (AMP)
0.3
0.07
1.2
0.4
0
50
h
FE
,DC
C
URREN
T
GAIN
0.1
0.2
0.5
5
Figure 7. Base–Emitter Saturation Voltage
Figure 8. Collector–Emitter Saturation Voltage
Figure 9. Collector Cutoff Region
2
0.8
0.1
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
0
TJ = 25°C
0.7
3
Figure 10. Capacitance
4K
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
Cib
Cob
0.1
,C
OLLE
CT
OR
C
URREN
T
(A
)
I C
– 0.4
– 0.2
100
80
500
1.6
0.6
IC = 1 A
5
0.2
2
0.3
1
7
0.7
10
0.2
0.5
3
25
30
20
7
600
400
200
40
60
200
100
5
1
0.5
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
V,
V
OL
TAGE
(
V
OL
T
S
)
+ 0.6
3 A
0.7
1
2
1
0.5
0.7
0.4
0
0.2
0.6
0.3
VCE = 5 V
TJ = 150°C
25
°C
– 55
°C
20
0.3
+ 0.4
+ 0.2
1
10
100
1K
10K
800
1K
2K
10
50
REVERSE
FORWARD
VCE = 250 V
10
20
5 A
8 A
12 A
3
TJ = – 55°C
IC/IB = 3
25
°C
150
°C
0.3
1
7
0.7
10
0.2
0.5
3
25
20
0.1
IC/IB = 3
TJ = 150°C
– 55
°C
25
°C
TJ = 150°C
125
°C
100
°C
75
°C
50
°C
25
°C
0.2
2
20
TJ = 25°C
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PDF描述 |
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